Skalierfähige Si/SiGe-HBT-Niedertemperaturtechnologie (LOTUS) : Abschlußbericht zum Projekt FKZ: 01M2418; Berichtszeitraum: 1.4.94 bis 30.6.97 / Institut für Halbleiterphysik, Frankfurt (Oder). Projektleiter: D. Temmler ; Teil 1: Zusammenfassender Text-Teil
1998
[21] Bl
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German
Halbleiterphysik: 20 Jahre Walter Schottky Institut
British Library Online Contents | 2008