"Entwicklung hoch- und kosteneffizienter PV-Si Wafer" : Teilvorhaben: Weiterentwicklung der Quasimono-Technologie; Weiterentwicklung der Waferherstellung aus Quasimono-Material durch Trennschleifen mit gebundenem Korn : Akronym: ENOWA_II : Schlussbericht : Laufzeit: 01.01.2015-30.09.2016
Development of high - and costefficient PV-Si-Wafer (ENOWA II) : subproject: Development of Quasimono-technology; development of waferproduction - process made from Quasimono-material by grinding with fixed abrasives
2017
1 Online-Ressource (93 Seiten, 16,5 MB)
Illustrationen, Diagramme
Förderkennzeichen BMWi 0325805A. - Verbund-Nummer 01158902
Weitere Autoren dem Berichtsblatt entnommen
Paralleltitel dem englischen Berichtsblatt entnommen
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
Digital preservation by Technische Informationsbibliothek (TIB) / Leibniz-Informationszentrum Technik und Naturwissenschaften und Universitätsbibliothek
Report
Electronic Resource
German