Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul, insbesondere Leistungshalbleitermodul. Das Leistungshalbleitermodul weist einen Schaltungsträger, und wenigstens einen mit dem Schaltungsträger verbundenen Halbleiterschalter, insbesondere Halbleiterschalter-Halbbrücke auf. Der Schaltungsträger des Leistungshalbleitermoduls weist eine elektrisch isolierende Schicht, insbesondere Keramikschicht, und zwei durch einen Isolierbereich, insbesondere Isoliergraben voneinander getrennte, jeweils mit der elektrisch isolierenden Schicht verbundene, elektrisch leitfähige Schichten auf. Die elektrisch leitfähigen Schichten sind jeweils mit einem Schaltstreckenanschluss des Halbleiterschalters elektrisch verbunden. Das Leistungshalbleitermodul weist wenigstens einen oder nur einen Metallformkörper auf, der mit der elektrisch leitfähigen Schicht verbunden und ausgebildet ist, bei einem Überschreiten der vorbestimmten Temperatur aufzuschmelzen, den Isolierbereich zu überwinden, und die durch den Isolierbereich voneinander getrennten elektrisch leitfähigen Schichten miteinander elektrisch, insbesondere niederohmig, zu verbinden.
A power semiconductor module. The power semiconductor module includes a circuit carrier and at least one semiconductor switch, in particular a semiconductor switch half-bridge, connected to the circuit carrier. The circuit carrier includes an electrically insulating layer, in particular a ceramic layer, and two electrically conductive layers which are separated from one another by an insulating region, in particular an insulating trench, and are both connected to the electrically insulating layer. The electrically conductive layers are both electrically connected to a switching path connection of the semiconductor switch. The power semiconductor module includes at least one metal shaped body, which is connected to the electrically conductive layer and configured to melt when the predetermined temperature is exceeded, to overcome the insulating region, and to connect the electrically conductive layers separated from one another by the insulating region electrically, in particular low-ohmically.
Leistungshalbleitermodul
2025-01-23
Patent
Electronic Resource
German
IPC: | H01L Halbleiterbauelemente , SEMICONDUCTOR DEVICES / B60L PROPULSION OF ELECTRICALLY-PROPELLED VEHICLES , Antrieb von elektrisch angetriebenen Fahrzeugen / H01H Elektrische Schalter , ELECTRIC SWITCHES / H02M APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS , Anlagen zur Umformung von Wechselstrom in Wechselstrom, von Wechselstrom in Gleichstrom oder umgekehrt, oder von Gleichstrom in Gleichstrom und zur Verwendung in Netzen oder ähnlichen Stromversorgungssystemen / H10D |
European Patent Office | 2022
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