The present disclosure relates to a semiconductor device (100). The device (100) includes a Silicon Controlled Rectifier (SCR) (102). The SCR (102) includes a floating tap SCR device (104) and an emitter shorted SCR device (106) connected in series with the floating tap SCR device (104). The combination of the floating tap SCR device (104) and the emitter shorted SCR device (106) enables a reduction in capacitance for a predetermined isolation distance between the floating tap SCR device (104) and the emitter shorted SCR device (106).
La présente divulgation se rapporte à un dispositif à semi-conducteur (100). Le dispositif (100) comprend un redresseur commandé en silicium (SCR) (102). Le SCR (102) comprend un dispositif SCR à prise flottante (104) et un dispositif SCR court-circuité d'émetteur (106) connecté en série au dispositif SCR à prise flottante (104). La combinaison du dispositif SCR à prise flottante (104) et du dispositif SCR court-circuité d'émetteur (106) permet une réduction de capacité pour une distance d'isolation prédéterminée entre le dispositif SCR à prise flottante (104) et le dispositif SCR court-circuité d'émetteur (106).
LOW CAPACITANCE FINFET SCR
SCR À FINFET À FAIBLE CAPACITÉ
2025-03-13
Patent
Electronic Resource
English
IPC: | H10D |
A Charge-Based Capacitance Model for Tri-Gate FinFET
Springer Verlag | 2022
|Design of low power AOI FinFET circuits at 7nm
IEEE | 2020
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