Der erste Teil einer dreiteiligen Serie ueber die GaAs-Technologie gibt einen Gesamtueberblick. Durch die grosse Ladungstraegerbeweglichkeit des GaAs sind um den Faktor 10 hoehere Schaltgeschwindigkeiten gegenueber der Si-Technik erreichbar. Fuer militaerische Anwendungen auf den Gebieten der optischen Nachrichtenuebertragung, der Radartechnik sowie der schnellen Rechner wird GaAs sich anbieten. Technologisch von Vorteil ist der sehr hohe spezifische Widerstand von GaAs, der zu unproblematischen Isolationen der Bauelemente auf dem Substrat fuehrt. (wird fortgesetzt).
Gallium arsenide technology forges ahead toward very large-scale integration
GaAs-Technologie auf dem Weg zur VLSI-Technik
Electronics, New York ; 55 , 4 ; 111
1982
1 Seite
Article (Journal)
English
VLSI-SCHALTUNG , HALBLEITERTECHNOLOGIE , GALLIUMARSENID , SCHALTGESCHWINDIGKEIT , TECHNISCHE ENTWICKLUNG , OPTISCHE NACHRICHTENUEBERTRAGUNG , RADARTECHNIK , RECHNERTECHNOLOGIE , MILITAERISCHES GERAET , INTEGRIERTE HALBLEITERSCHALTUNG , LADUNGSTRAEGERBEWEGLICHKEIT , SPEZIFISCHER WIDERSTAND , ELEKTRISCHE ISOLATION
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