Der Aufwärts-Trend bei elektrisch angetriebenen Fahrzeugen bringt harte Anforderungen an leistungselektronische Power-Module mit sich: hohe Leistungsdichte, hohe Zuverlässigkeit sowie mechanische, thermische und elektrische Robustheit. Der Beitrag beschreibt zunächst diese Anforderungen und geht dann auf spezielle Themen näher ein: Ein besonders kritischer Faktor sind die unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Grundplatte und DCB-Substrat, durch die große Fläche der Lötverbindung entstehen hohe mechanische Spannungen. Zur Abhilfe werden die Lötverbindungen durch Druckkontakte ersetzt, damit kann sich das Substrat auf dem Kühlkörper bewegen und thermische Spannungen ausgleichen. Verschiedene weitere Konzepte (IGBT-Module, gehäuselose DCB-Substrate) werden ebenfalls vorgestellt, insgesamt konnten auf diese Weise neue Maßstäbe für die Leistungsdichte gesetzt werden, die Module widerstehen 20 g Vibrations- und 100 g Stoß-Belastungen, die Sperrschichttemperatur des MOSFETs von 200 Grad C kann voll ausgenutzt werden.


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    Title :

    Hochleistungs-IGBT-Module für Automotive. Power-Module


    Contributors:

    Published in:

    Elektronikpraxis ; Sonderheft: Energieeffizienz & Eco-Design ; 34-36


    Publication date :

    2009


    Size :

    3 Seiten, 4 Bilder, 1 Tabelle



    Type of media :

    Article (Journal)


    Type of material :

    Print


    Language :

    German




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