Mit Power-Bimos wird eine Schaltungstechnologie von Harris Semiconductor bezeichnet, die Logik- und Leistungskomponenten auf einem Chip vereint, relativ hohe Spannungen und Ströme zusammen mit den durch lange Leitungen im Automobil vorhandenen Streuinduktivitäten verträgt und damit die Anforderungen der Kfz-Elektronik erfüllt. Power-Bimos umfaßt komplementäre DMOSFETs für 90 V, bipolare npn- und pnp-Transistoren sowie 3-Mikrometer-CMOS-Strukturen mit Drainspannungen von 10 bis 16 Volt. Näher beschrieben werden Lowside-Treiber, Highside-Treiber und verfügbare Logikfunktionen sowie als Beispiel ein Vierfach-Treiber zum Ansteuern von Einspritzventilen.
Systemkosten werden geringer. Power-Bimos: Kombinierte Logik-Leistungs-ICs für Applikationen in der Kfz-Elektronik
System costs are declining. Power BiMOS: Combined logic power ICs the automobile electronics
Elektronik Journal ; 27 , 12 ; 30-34
1992
4 Seiten, 5 Bilder, 1 Tabelle
Article (Journal)
German
Mikroelektronik drückt die Systemkosten
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Leistungs-Elektronik: Erste Power-MOSFETs aus SiC
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Automotive applications of power BiMOS
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