Die Erfindung betrifft eine leiterplattenintegrierte Leistungselektronik (1) mit mindestens einem Halbleitermaterial (IGBT 2) sowie einem dieses tragenden Kupferblock (3), welcher auf einer ersten Leiterplatte (6) angeordnet und seitlich von einer zweiten Leiterplatte (7) umgeben ist, ferner mit einer das Halbleitermaterial (IGBT 2) abdeckenden dritten Leiterplatte (8), durch welche hindurch die eine dem Kupferblock abgewandte Seite des Halbleitermaterials (IGBT 2) elektrisch kontaktiert ist. Die erfindungsgemäße leiterplattenintegrierte Leistungselektronik ist dadurch gekennzeichnet, dass alle drei Leiterplatten (6, 7, 8) aus einem thermisch gut leitenden Leiterplattenmaterial mit demselben thermischen Ausdehnungskoeffizienten ausgeführt sind.
Leiterplattenintegrierte Leistungselektronik
2016-02-25
Patent
Electronic Resource
German
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