Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zur Bestimmung einer Temperatur eines Halbleiterleistungsschaltelementes (1) aufweisend den Halbleiterleistungsschalter (1) mit einem eingebauten temperaturabhängigen Gatewiderstand (3), wobei die Einrichtung eine nicht-invertierende Verstärkerschaltung, umfassend einen Operationsverstärker (2) und einen Gegenkopplungs-Widerstand (4), aufweist, wobei der invertierende Eingang des Operationsverstärkers (2) so an den Halbleiterleistungsschalter (1) angeschlossen ist, dass die Verstärkung der nicht-invertierenden Verstärkerschaltung (200) in einem vorgegebenen Frequenzbereich eines Eingangssignals (VIN) von dem eingebauten temperaturabhängigen Gatewiderstand (3) und dem Gegenkopplungs-Widerstand (4) abhängt und ein Maß für die Temperatur des Halbleiterleistungsschaltelementes (1) ist.
The invention relates to a device for determining a temperature of a power semiconductor switching element (1) comprising the power semiconductor switch (1) with an inbuilt temperature-dependent gate resistor (3), wherein the device has a noninverting amplifier circuit, comprising an operational amplifier (2) and a feedback resistor (4), wherein the inverting input of the operational amplifier (2) is connected to the power semiconductor switch (1) such that the gain of the noninverting amplifier circuit (200) in a predefined frequency range of an input signal (VIN) depends on the inbuilt temperature-dependent gate resistor (3) and the feedback resistor (4) and is a measure for the temperature of the power semiconductor switching element (1).
L'invention concerne un dispositif de détermination de la température d'un élément disjoncteur à semi-conducteur (1) présentant le disjoncteur à semi-conducteur (1) pourvu d'une résistance de grille intégrée dépendant de la température (3), le dispositif présentant un circuit amplificateur non inverseur, comprenant un amplificateur opérationnel (2) et une résistance de contre-réaction (4), l'entrée inverseuse de l'amplificateur opérationnel (2) étant raccordée au disjoncteur à semi-conducteur (1) de telle sorte que l'amplification du circuit amplificateur non inverseur (200) dans une plage de fréquence prédéfinie d'un signal d'entrée (VIN) dépend de la résistance de grille (3) intégrée dépendant de la température et de la résistance de contre-réaction (4) et est une grandeur pour la température du disjoncteur à semi-conducteur (1).
TEMPERATURMESSUNG EINES HALBLEITERLEISTUNGSSCHALTELEMENTES
TEMPERATURE MEASUREMENT OF A POWER SEMICONDUCTOR SWITCHING ELEMENT
MESURE DE TEMPÉRATURE D'UN ÉLÉMENT DISJONCTEUR À SEMI-CONDUCTEUR
2020-04-02
Patent
Electronic Resource
German
TEMPERATURMESSUNG EINES HALBLEITERLEISTUNGSSCHALTELEMENTES
European Patent Office | 2022
|Springer Verlag | 2020
|Spektroskopische Temperaturmessung im Brennraum eines Ottomotors
Automotive engineering | 1997
|British Library Online Contents | 2006
Vorrichtung zur Masseverbindung eines Steuergeräts und zur Temperaturmessung
European Patent Office | 2018
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