Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    High Temperature Normal Spectral Emittance of Silicon Carbide Based Materials


    Beteiligte:
    Postlewait, M. A. (Autor:in) / Sikka, K. K. (Autor:in) / Modest, M. F. (Autor:in) / AIAA

    Kongress:

    28th Conference, Thermophysics ; 1993 ; Orlando; FL



    Erscheinungsdatum :

    01.01.1993


    Format / Umfang :

    AIAA 93-2759


    Anmerkungen:

    Separate papers nos 93-2720 to 93-2886 with gaps held only


    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Schlagwörter :


    High-temperature, normal spectral emittance of silicon carbide based materials

    Postlethwait, Michael A. / Sikka, Kamal K. / Modest, Michael F. et al. | AIAA | 1994


    High Temperature, Normal Spectral Emittance of Silicon Carbide Based Materials

    Postlethwait, M. A. / Sikka, K. K. / Modest, M. F. et al. | British Library Conference Proceedings | 1993


    High-temperature, normal spectral emittance of silicon carbide basedmaterials

    POSTLETHWAIT, MICHAEL / SIKKA, KAMAL / MODEST, MICHAEL | AIAA | 1993


    Spectral normal emittance of single crystals.

    DRESHFIELD, R. L. | AIAA | 1966


    Spectral normal emittance of single crystals

    DRESHFIELD, R. / HOUSE, R. | AIAA | 1965