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    Titel :

    Reliability of high-power AlGaAs/GaAs QW laser diodes (Invited Paper) [2886-517]



    Kongress:

    Conference, Semiconductor lasers II ; 1996 ; Beijing



    Erscheinungsdatum :

    01.01.1996


    Format / Umfang :

    14 pages




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    High-power 980-nm strained InGaAs/AlGaAs/GaAs quantum well laser [2886-570]

    Hua, J. / Guan, X. / SPIE-The International Society for Optical Engineering | British Library Conference Proceedings | 1996


    Semiconductor lasers in China (Invited Paper) [2886-518]

    Chen, L. / SPIE-The International Society for Optical Engineering | British Library Conference Proceedings | 1996



    Nr. 2886

    DataCite | 1900


    LPE growth of high-power InGaAsP/GaAs SCH SQW lasers [2886-547]

    Bo, B. / Zhang, B. / Zhu, B. et al. | British Library Conference Proceedings | 1996