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    Titel :

    1.48-m InGaAs/InGaAsP separated confinement strained layer multiple quantum well lasers [2886-559]



    Kongress:

    Conference, Semiconductor lasers II ; 1996 ; Beijing



    Erscheinungsdatum :

    01.01.1996


    Format / Umfang :

    5 pages




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




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