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    Titel :

    1.4m Strained-Layer InGaAs-GaAs-InGaP SQW Lasers on Ternary In0.03Ga0.97As Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition



    Kongress:

    Annual meeting; 9th, IEEE: Lasers and Electro-Optics Society; LEOS '96; 9th annual meeting ; 1996 ; Boston; MA



    Erscheinungsdatum :

    01.01.1996


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    Described as proceedings. IEEE cat no: 96CH35895



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch







    Channel Guide InGaAs-GaAs-InGaP Strained Quantum Well Lasers on P-Type GaAs Substrate for High Power Operation

    Sin, Y. K. / Horikawa, H. / Kamijoh, T. et al. | British Library Conference Proceedings | 1992


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    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1994