Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Channel Guide InGaAs-GaAs-InGaP Strained Quantum Well Lasers on P-Type GaAs Substrate for High Power Operation


    Beteiligte:
    Sin, Y. K. (Autor:in) / Horikawa, H. (Autor:in) / Kamijoh, T. (Autor:in) / IEEE

    Kongress:

    13th, International semiconductor laser conference ; 1992 ; Takamatsu; Japan



    Erscheinungsdatum :

    01.01.1992


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    Described as the conference digest



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch






    High Power, Efficient Al-Free InGaAs/InGaP/GaAs Diode Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996


    High Performance Strained-Layer InGaAs Quantum Well Lasers Grown on (311)A GaAs Substrates

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1994


    Low Threshold InGaAs-AlGaAs-GaAs Strained-Layer Quantum Well Heterostructure Square Ring Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993