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    Titel :

    3.3 Watt CW Diffraction-Limited Broad Area Semiconductor Amplifier


    Beteiligte:
    Mehuys, D. (Autor:in) / Goldberg, L. (Autor:in) / Hall, D. (Autor:in) / Welch, D. F. (Autor:in) / IEEE

    Kongress:

    13th, International semiconductor laser conference ; 1992 ; Takamatsu; Japan



    Erscheinungsdatum :

    01.01.1992


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    Described as the conference digest



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    3.3 watt CW diffraction-limited broad area semiconductor amplifier

    Mehuys, D. / Goldberg, L. / Hall, D. et al. | IEEE | 1992


    Angled-Facet High-Power Diffraction-Limited Tapered Semiconductor Amplifier

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1994


    Integrated 10 watt amplifier

    Gelfend, G. K. | NTRS | 1968


    35-dB Small-Signal-Gain High-Power Diffraction-Limited Tapered Semiconductor Amplifier

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993


    ESFK 20-100 watt S-band amplifier

    Lien, E. L. / Mizuhara, A. | NTRS | 1967