Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    630 nm-Band AlGaInP Strained MQW Laser Diodes with an MQB Grown on Misoriented Substrates


    Beteiligte:
    Hiroyama, R. (Autor:in) / Hamada, H. (Autor:in) / Shono, M. (Autor:in) / Honda, S. (Autor:in) / IEEE

    Kongress:

    13th, International semiconductor laser conference ; 1992 ; Takamatsu; Japan



    Erscheinungsdatum :

    01.01.1992


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    Described as the conference digest



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





    Strained Quantum Well AlGaInP Visible Laser Diodes

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1994


    High-Performance 630-nm Band AlGaInP Strained Multiple Quantum Well Laser Diodes with a Multiquantum Barrier

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993



    Ordered and Disordered GaInP/AlGaInP Strained Layer Quantum Well Visible-Light Emitting Laser Diodes

    Van der Poel, C. J. / Valster, A. / Finke, M. N. et al. | British Library Conference Proceedings | 1992