Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    1.27m Resonant Cavity PIN Photodetector using an InAs/GaAs Quantum Dot Active Region Grown on GaAs



    Kongress:

    Annual meeting; 10th, IEEE; Lasers and Electro-Optics Society: LEOS '97 ; 1997 ; San Francisco; CA



    Erscheinungsdatum :

    01.01.1997


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    Described as proceedings. IEEE cat no: 97CH36057




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





    Continuous-Wave Operation of 1.27-mum GaAsSb/GaAs VCSELs

    Anan, T. / Yamada, M. / Nishi, K. et al. | British Library Conference Proceedings | 2001


    Continuous-wave operation of 1.27-/spl mu/m GaAsSb/GaAs VCSELs

    Anan, T. / Yamada, M. / Nishi, K. et al. | IEEE | 2001


    High responsivity, polarization-sensitive, 70-layer InAs/GaAs quantum dot infrared photodetector

    Stiff-Roberts, A.D. / Chakrabarti, S. / Kennerly, S. et al. | IEEE | 2003


    1.3 mum GaAsSb Resonant-Cavity Light-Emitting Diodes Grown on GaAs Substrate

    IEEE | British Library Conference Proceedings | 2003