Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Material growth investigation and high performance of InGaAs/InGaAsP/AlGaAs quantum well diode lasers (Lambda=0.98 mum) [4078-20]



    Kongress:

    Conference; 2nd, Optoelectronic materials and devices ; 2000 ; Taipei



    Erscheinungsdatum :

    01.01.2000


    Format / Umfang :

    7 pages




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





    High-Speed 1.55 m InGaAs/InGaAsP Multi-Quantum Well lambda/4-Shifted DFB Lasers

    Uomi, K. / Aoki, M. / Tsuchiya, T. et al. | British Library Online Contents | 1994


    0.98 m Wavelength InGaAs/GaAs/AlGaAs Strained Quantum-Well Laser Diodes with High Reliability

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997



    Characteristic analysis of InGaAs/InGaAsP strained quantum well lasers

    Ma, C. / Han, C. / Liu, S. | British Library Online Contents | 1997