Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Very Low Threshold Current Density of 1.3 mum-range GaInNAsSb/GaNAs 5QWs Lasers



    Kongress:

    18th, International semiconductor laser conference ; 2002 ; Garmisch-partenkirchen, Germany



    Erscheinungsdatum :

    01.01.2002


    Format / Umfang :

    2 pages




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Very low threshold current density of 13 /spl mu/m-range GaInNAsSb/GaNAs 5QWs lasers

    Setiagung, C. / Shimizu, H. / Kumada, K. et al. | IEEE | 2002


    GaInNAsSb/GaNAs VCSELs at 1.46 /spl mu/m

    Wistey, M.A. / Bank, S.R. / Yuen, H.B. et al. | IEEE | 2004


    TuC2 1.3mum-band Low Threshold GaInNAsSb Quantum Well Lasers

    IEEE | British Library Conference Proceedings | 2002


    1.55 mum GaInNAsSb Lasers on GaAs

    Bank, S. | British Library Conference Proceedings | 2005


    1.3 /spl mu/m-band low threshold GaInNAsSb quantum well lasers

    Shimizu, H. / Setiagung, C. / Ariga, M. et al. | IEEE | 2002