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    Titel :

    High-Power GaInAs/(Al)GaAs Quantum Dot Lasers with Optimized Waveguide Design for High Brightness Applications



    Kongress:

    18th, International semiconductor laser conference ; 2002 ; Garmisch-partenkirchen, Germany



    Erscheinungsdatum :

    01.01.2002


    Format / Umfang :

    2 pages




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch






    High Characteristic Temperature (T~0>150K) 1.2mum GaInAs/GaAs Lasers

    IEEE | British Library Conference Proceedings | 1999



    High-Power GaInAs/GaInAsP/GalnP 980-nm Pump Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993