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    Titel :

    InAsN/InGaAs/InP Quantum Well Structures for Mid-Infrared Diode Lasers


    Beteiligte:

    Kongress:

    Annual meeting; 16th, IEEE Lasers & Electro-optics Society; LEOS 2003 ; 2003 ; Tucson, AZ



    Erscheinungsdatum :

    01.01.2003


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat. no. 03CH37460




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    InAsN/InGaAs/InP quantum well structures for midinfrared diode lasers

    Lin, H.H. / Shih, D.K. / Lin, Y.H. et al. | IEEE | 2003


    Simulations of mid infrared emission of InAsN semiconductors

    Oriaku, C. I. / Pereira, M. F. | British Library Online Contents | 2015


    InGaAs Quantum Well Diode Lasers with Regrown Al Containing Layers for Application to Current Confinement Structures

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997


    Linewidth-enhancement factors of InGaAs and InGaAsN single-quantum-well diode lasers

    Shterengas, L. / Jeng-Ya Yeh, / Mawst, L.J. et al. | IEEE | 2004