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    Titel :

    GaN-based bipolar cascade light-emitting diode with 250 % peak quantum efficiency


    Beteiligte:
    Piprek, J. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.2015


    Format / Umfang :

    6 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    537.5



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    YANG JEONG HEE / KIM KYOUNG WAN / YOON YEO JIN et al. | Europäisches Patentamt | 2017

    Freier Zugriff

    GaAs-Based Bipolar Cascade InAs/InGaAs Quantum Dot VCSELs Emitting Near 1300 nm

    IEEE Lasers and Electro-optics Society | British Library Conference Proceedings | 2005


    GaAs-based bipolar cascade InAs/InGaAs quantum dot VCSELs emitting near 1300 nm

    Lott, J.A. / Stintz, A. / Kovsh, A.R. et al. | IEEE | 2005



    3% External Quantum Efficiency From Surface Textured, Thin-film Light-emitting-diode Arrays

    Schnitzer, I. / Yablonovitch, E. / Ersen, A. et al. | IEEE | 1993