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    Titel :

    Density functional theories study on optoelectronic properties of arsenic-doped GaN nanowires


    Beteiligte:
    Zhang, Y. (Autor:in) / Cui, Z. (Autor:in) / Ding, Y. (Autor:in) / Liu, T. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.2016


    Format / Umfang :

    11 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    537.5



    Optoelectronic properties of Mg doping GaN nanowires

    Kong, Y. / Liu, L. / Xia, S. et al. | British Library Online Contents | 2016


    Integrated Optoelectronic Devices using Compound Semiconductor Nanowires

    Lasers and Electro-optics Society (Institute of Electrical and Electronics Engineers) | British Library Conference Proceedings | 2004



    Influences of Mg doping and N vacancy on the optoelectronic properties of GaN nanowires

    Xia, S. H. / Liu, L. / Kong, Y. et al. | British Library Online Contents | 2016