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    Titel :

    Analysis of avalanche behaviour for paralled MOSFETs


    Weitere Titelangaben:

    Analyse des Avanlanche-Verhaltens von parallelen MOSFETs.


    Beteiligte:
    Chen,J. (Autor:in) / Downer,S. (Autor:in) / Murray,A. (Autor:in) / Divins,D. (Autor:in) / International Rectifier,US

    Erscheinungsdatum :

    2004


    Format / Umfang :

    7 pages


    Anmerkungen:

    SAE-Paper;2004-01-1595;2004;In-Vehicle Networks and Software,Electrical Wiring ...;SAE Spec.Publ.; SP-1852


    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch



    Analysis of Avalanche Behaviour for Paralleled MOSFETs

    Murray, Anthony / Divins, David / Chen, Jingdong et al. | SAE Technical Papers | 2004


    Analysis of Avalanche Behaviour for Paralleled MOSFETs

    Chen, J. / Downer, S. / Murray, A. et al. | British Library Conference Proceedings | 2004


    2004-01-1595 Analysis of Avalanche Behaviour for Paralleled MOSFETs

    Chen, J. / Downer, S. / Murray, A. et al. | British Library Conference Proceedings | 2004


    Paralled DGM scheme for LEE applied to exhaust and bypass problems

    Leneveu, Romain / Schiltz, Benoit / Manera, Julien et al. | AIAA | 2007