Die Erfindung betrifft ein Halbleiterleistungsmodul (10) für einen Stromrichter zum Bestromen eines elektrischen Achsantriebs in einem Elektrofahrzeug und/oder einem Hybridfahrzeug, umfassend mehrere Halbleiterschaltelemente (12, 14) zum Erzeugen eines Ausgangsstroms basierend auf einem von einer Spannungsquelle bereitgestellten Eingangsstrom mittels Schaltens der Halbleiterschaltelemente (12, 14), wobei die Halbleiterschaltelemente (12, 14) mehrere Dioden (14) umfassen, die jeweils eine Anode (142) und eine Kathode (144) aufweisen, einen ersten Leiterrahmen (16) und einen zweiten Leiterrahmen (18) mit mehreren Leiterbahnen (162, 182) zum elektrischen Verbinden der Halbleiterschaltelemente (12, 14), um eine Halbbrücke aufweisend eine Highside und eine Lowside basierend auf den Halbleiterschaltelementen (12, 14) zu bilden, wobei der erste Leiterrahmen (16) der Highside zugeordnet und der zweite Leiterrahmen (18) der Lowside zugeordnet ist, wobei die Dioden (14) derart zwischen dem ersten Leiterrahmen (16) und dem zweiten Leiterrahmen (18) elektrisch kontaktiert sind, dass die Anode (142) der Dioden (14) einem an das Halbleiterleistungsmodul (10) mechanisch angebundenen und thermisch gekoppelten Kühler zugewandt ist.

    A semiconductor power module for an electrical axle drive in an electric vehicle and/or a hybrid vehicle includes a plurality of semiconductor switching elements for generating an output current on the basis of an input current provided by a voltage source by switching the semiconductor switching elements comprising a plurality of diodes which each have an anode and a cathode, a first leadframe, and a second leadframe having a plurality of conductor tracks for electrically connecting the semiconductor switching elements to form a half-bridge having a high side and a low side, wherein the first leadframe is assigned to the high side and the second leadframe is assigned to the low side, wherein electrical contact is made with the diodes between the first leadframe and the second leadframe so that the anode of the diodes faces a cooler mechanically connected and thermally coupled to the semiconductor power module.


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    Titel :

    Halbleiterleistungsmodul mit effizienterer Wärmeabfuhr und verbessertem Schaltverhalten


    Beteiligte:
    KOMATSU YUJI (Autor:in) / WILHELMI FLORIAN (Autor:in)

    Erscheinungsdatum :

    29.02.2024


    Medientyp :

    Patent


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Deutsch


    Klassifikation :

    IPC:    H01L Halbleiterbauelemente , SEMICONDUCTOR DEVICES / B60L PROPULSION OF ELECTRICALLY-PROPELLED VEHICLES , Antrieb von elektrisch angetriebenen Fahrzeugen / H02M APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS , Anlagen zur Umformung von Wechselstrom in Wechselstrom, von Wechselstrom in Gleichstrom oder umgekehrt, oder von Gleichstrom in Gleichstrom und zur Verwendung in Netzen oder ähnlichen Stromversorgungssystemen



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