본 발명은 SWIR 감지용 유기 포토다이오드, 그의 제조 방법 및 그를 포함하는 SWIR 센서에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 및 제2 전극들 사이의 광전 변환층을 포함한다. 상기 광전 변환층은 순차적으로 적층된 제1 광전 변환층 및 제2 광전 변환층을 포함하고, 상기 제1 광전 변환층은 화학식 1로 표시되는 고분자 및 화학식 2로 표시되는 유기 도펀트를 포함한다.


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    Titel :

    SWIR SWIR Organic photodiode for detecting SWIR method for manufacturing the same and SWIR sensor including the same


    Weitere Titelangaben:

    SWIR 감지용 유기 포토다이오드, 그의 제조 방법 및 그를 포함하는 SWIR 센서


    Beteiligte:
    CHUNG DAE SUNG (Autor:in) / LEE SANGJUN (Autor:in)

    Erscheinungsdatum :

    17.12.2024


    Medientyp :

    Patent


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Koreanisch


    Klassifikation :

    IPC:    H10K



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