By investigating the growth-rate dependence of GaInNAs/GaAs MQW grown by MOCVD, high-performance narrow-ridge laser diodes operating at 1.3 /spl mu/m have been demonstrated with a low threshold current of 25 mA, a high characteristic temperature of 180 K, and a long lifetime of 10000 hours under 1 mW CW operation at room temperature.


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    Titel :

    High characteristic temperature of GaInNAs/GaAs narrow-ridge waveguide laser diodes grown by MOCVD


    Beteiligte:
    Mitomo, J. (Autor:in) / Hino, T. (Autor:in) / Hirano, Y. (Autor:in) / Narui, H. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2004


    Format / Umfang :

    120212 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch