A broad area InGaAs semiconductor laser diode with two monolithically integrated optical elements, a 275 nm period diffraction grating and multilevel refractive lens, is presented. We discuss the potential of dual optics integration for beam shaping of high power lasers and amplifiers.


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    Titel :

    Monolithic integration of dual layer optics on broad area semiconductor lasers


    Beteiligte:
    Vaissie, L. (Autor:in) / Mohammed, W. (Autor:in) / Johnson, E.G. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2003


    Format / Umfang :

    208880 byte



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Monolithic Integration of Semiconductor Lasers and Diffractive Optical Elements

    Larsson, A. / Eriksson, N. / Bengtsson, J. et al. | British Library Conference Proceedings | 2001


    Monolithic integration of semiconductor lasers and diffractive optical elements

    Larsson, A. / Eriksson, N. / Bengtsson, J. et al. | IEEE | 2001


    Picosecond spatio-temporal dynamics of broad area semiconductor lasers

    Burkhard, T. / Fischer, I. / Elsasser, W. | IEEE | 1999


    Spatiotemporal picosecond turn-on dynamics of broad area semiconductor lasers

    Fischer, I. / Burkhard, T. / Elsaber, W. | IEEE | 1997