We achieved the highest average power (0.45 W) and efficiency (20% slope) to date from an OPGaAs OPO. QPM structures >1 mm thick were grown by HVPE on 3-inch diameter multi-grating templates produced by MBE.


    Zugriff

    Zugriff prüfen

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    2.05-/spl mu/m-laser-pumped orientation-patterned gallium arsenide (OPGaAs) OPO


    Beteiligte:
    Schunemann, P.G. (Autor:in) / Setzler, S.D. (Autor:in) / Mohnkern, L. (Autor:in) / Pollak, T.M. (Autor:in) / Bliss, D.F. (Autor:in) / Weyburne, D. (Autor:in) / O'Hearn, K. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.2005


    Format / Umfang :

    1728680 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    2.05-mum-Laser-Pumped Orientation-Patterned Gallium Arsenide (OPGaAs) OPO

    Schunemann, P. | British Library Conference Proceedings | 2005


    130 mJ, 10 Hz, Q-Switched Diode-Pumped Ho:Tm:LuLF Laser Oscillator at 2.05 mum

    Chen, S. | British Library Conference Proceedings | 2005


    Gallium arsenide as a laser pump

    Randall, J. L. | NTRS | 1963



    A diode-pumped Tm:Ho: LuLF master-oscillator power-amplifier (MOPA) at 2.05 m

    Songsheng Chen, / Jirong Yu, / Singh, U.N. et al. | IEEE | 2003