We demonstrate an optically modulated field-effect transistor. Such a device has a possible application as a fast, flexible, and efficient single-photon detector.


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    Titel :

    Transport properties of a quantum dot based optically gated field-effect transistor


    Beteiligte:
    Rowe, M.A. (Autor:in) / Su, M. (Autor:in) / Mirin, R.P. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2004


    Format / Umfang :

    65501 byte



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch





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