We present studies of photoconductivity on picosecond time scales in amorphous silicon (a-Si:H) and related materials using time-resolved THz techniques. We find a strongly non-Drude response with a power-law frequency dependence characteristic of disordered systems.


    Zugriff

    Zugriff prüfen

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Ultrafast conductivity in amorphous semiconductors by time-resolved THz spectroscopy


    Beteiligte:


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2004


    Format / Umfang :

    130588 byte



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch




    Time-resolved THz phonon spectroscopy in semiconductors

    Cho, G.C. / Han, P.Y. / Zhang, X.-C. | IEEE | 1999



    Ultrafast coherent spectroscopy in II-VI widegap semiconductors

    Kar, A. K. / Tookey, A. / SPIE et al. | British Library Conference Proceedings | 1999


    Mid-infrared ultrafast and nonlinear spectroscopy of semiconductors

    Khodaparast, G.A. / Ostojic, G.N. / Srivastava, A. et al. | IEEE | 2002