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    Titel :

    Lasing at ~1.3 μm from InAs Quantum Dots with GaInNAs Embedding Layers Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition


    Beteiligte:
    Hashimoto, R. (Autor:in) / Kushibe, M. (Autor:in) / Ezaki, M. (Autor:in) / Hatakoshi, G. (Autor:in) / Nishioka, M. (Autor:in) / Arakawa, Y. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2006


    Format / Umfang :

    577694 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch





    4.2mW GaInNAs Long-Wavelength VCSEL Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    Institute of Electrical and Electronics Engineers | British Library Conference Proceedings | 2004


    4.2 mW GaInNAs long-wavelength VCSEL grown by metalorganic chemical vapor deposition

    Nishida, T. / Takaya, M. / Kakinuma, S. et al. | IEEE | 2004


    CW lasing of self-assembled InAs quantum dot lasers on GaAs substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition

    Tatebayashi, J. / Kakuma, H. / Hatori, N. et al. | British Library Conference Proceedings | 2003