The first near 1300 nm electrically-injected vertical cavity surface emitting lasers containing sheets of self-assembled InAs/InGaAs quantum dot active regions grown on GaAs substrates that emit over 1 mW continuous wave peak power at room temperature are demonstrated.


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    Titel :

    GaAs-Based InAs/InGaAs Quantum Dot Vertical Cavity and Vertical External Cavity Surface Emitting Lasers Emitting Near 1300 nm


    Beteiligte:
    Lott, J.A. (Autor:in) / Kovsh, A.R. (Autor:in) / Ledentsov, N.N. (Autor:in) / Bimberg, D. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2005


    Format / Umfang :

    197502 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch




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