In this paper, the setup for the tunable cw-GaAs diode laser chip in an external cavity, which consists of stripe-array, a fast axis collimator, a grating, and a /spl lambda//2-plate, has been explained.


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    Titel :

    Tunable cw-diode laser for 940 to 990 nm with over 700 mW of near-diffraction limited light


    Beteiligte:
    Raab, V. (Autor:in) / Jechow, A. (Autor:in) / Menzel, R. (Autor:in) / Cenkier, M. (Autor:in) / Stry, S. (Autor:in) / Sacher, J. (Autor:in) / Kelemen, M.T. (Autor:in) / Mikulla, M. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2005


    Format / Umfang :

    611788 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Near-diffraction-limited high power diode laser tunable from 895 to 960 nm

    Kelemen, M.T. / Rinner, F. / Rogg, J. et al. | IEEE | 2002




    High-Power, Diffraction-Limited, External-Cavity Tunable Diode Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993


    Near-diffraction-limited diode-pumped thin-disk Nd:YVO~4 laser [3097-72]

    Koch, R. / Hollemann, G. / Clemens, R. et al. | British Library Conference Proceedings | 1997