Slow light enhancement via a nanostructured one-dimensional (1D) periodic waveguide is exploited to demonstrate up to 40 Gb/s modulation in a CMOS compatible 500 μm-long silicon electro-optical device based on carrier depletion in a pn junction.


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    Titel :

    Enhancing the performance of carrier depletion based silicon electro-optical modulators via slow light propagation


    Beteiligte:
    Brimont, A. (Autor:in) / Thomson, D. J. (Autor:in) / Sanchis, P. (Autor:in) / Herrera, J. (Autor:in) / Gardes, F. Y. (Autor:in) / Fedeli, J. M. (Autor:in) / Reed, G. T. (Autor:in) / Marti, J. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.09.2011


    Format / Umfang :

    1443733 byte





    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    High performance depletion-mode silicon modulators

    Tsung-Yang Liow, / Xiaoguang Tu, / Qing Fang, et al. | IEEE | 2011




    Electro-optic light modulators

    Hirschmann, E. | NTRS | 1966


    Electro-Optic Light Modulators

    E. Hirschmann | NTIS | 1966