Time-resolved dynamics of an InAs/InGaAs quantum-dots-in-a-well detector are measured at 3.9, 7.5, and 10 /spl mu/m. This technique enables us to track carrier relaxation from three to two to zero dimensions for the first time.


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    Titel :

    Ultrafast relaxation processes in nanostructured materials


    Beteiligte:
    Prasankumar, R.P. (Autor:in) / Averitt, R.D. (Autor:in) / Taylor, A.J. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2005


    Format / Umfang :

    157381 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Ultrafast Relaxation Processes in Nanostructured Materials

    IEEE Lasers and Electro-optics Society | British Library Conference Proceedings | 2005



    Ultrafast energy relaxation in -conjugated polymers

    Leo, K. / Kurz, H. / Kersting, R. et al. | British Library Conference Proceedings | 1993



    Ultrafast Electronic Processes in Porous Silicon

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1994