This paper will go over the benefits and advantages of GaN over traditional silicon and summarize the Single Event Effects (SEE) testing that was done for Renesas' GaN FETs. This paper will also discuss the results of the SEE testing and what they mean with respect to a typical Geosynchronous Orbit (GEO) mission.


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    Titel :

    Wide Bandgap Components for Space Applications


    Beteiligte:
    Bernard, S. K. (Autor:in) / Mansilla, O. E. (Autor:in) / Pearce, L. G. (Autor:in) / Newman, W. H. (Autor:in) / Thomson, E. J. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.09.2019


    Format / Umfang :

    361025 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



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