We report chirp values reduced to the information bandwidth (0.1 nm) on 10 Gb1s operating InGaAslInGaAbAs MQW DFB lasers. A very low linewidth enhancementfactor of 1.8 was estimated above threshold by injection locking methods.


    Zugriff

    Zugriff prüfen

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    High speed ultra-low chirp 1.55/spl mu/m GaInAs/AlGaInAs MQW BRS DFB lasers


    Beteiligte:
    Blez, M. (Autor:in) / Kazmierski, C. (Autor:in) / Mathoorasing, D. (Autor:in) / Quillec, M. (Autor:in) / Gilleron, M. (Autor:in) / Landreau, J. (Autor:in) / Nakajima, H. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1992


    Format / Umfang :

    211692 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    High Speed Ultra-Low Chirp 1.55 m GaInAs/AlGaInAs MQW BRS DFB Lasers

    Blez, M. / Kazmierski, C. / Mathoorasing, D. et al. | British Library Conference Proceedings | 1992




    Temperature Dependent Performance of 1.55 mum AlGaInAs Laser Diodes

    Yang, C. | British Library Conference Proceedings | 2005


    Proposal of an AlAs-Oxide Current Confinement Structure for GaInAs/AlGaInAs Long Wavelength Surface Emitting Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996