We report on lateral diffusion measurements of excitons in GaAs/AlGaAs double quantum wells of various width. In wide quantum wells the excitons have lifetime up to 10 microseconds and diffusion length up to 500 microns.


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    Titel :

    Lateral diffusion of excitons in double quantum well structures


    Beteiligte:
    Voros, Z. (Autor:in) / Balili, R. (Autor:in) / Snoke, D. (Autor:in) / Pfeiffer, L. (Autor:in) / West, K. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2005


    Format / Umfang :

    335780 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Coherent Dynamics Of Excitons In Single And Multiple Quantum Well Structures

    Kuhl, J. / Hubner, M. / Stroucken, T. et al. | IEEE | 1997





    Zinc Diffusion Through SiOx Barrier Layers into GaAs-AlGaAs Quantum Well Structures

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1994