Summary form only given. In conclusion although we observe the QCSE in GaAs/AlAs MQW modulators for barriers as thin as 10 /spl Aring/, optimum electroabsorption for smart pixels is found for 20-30 /spl Aring/ barrier width.<>


    Zugriff

    Zugriff prüfen

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Electroabsorption in ultranarrow-barrier GaAs/AlAs multiple quantum well modulators


    Beteiligte:
    Goossen, K.W. (Autor:in) / Cunningham, J.E. (Autor:in) / Jan, W.Y. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.1993


    Format / Umfang :

    160453 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Electroabsorption in Ultranarrow-Barrier GaAs/AlAs Multiple Quantum Well Modulators

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993


    Optimization of Multiple Quantum Well Electroabsorption Modulators

    Si, W. / Li, D. / Zhang, K. | British Library Online Contents | 1993


    Dynamic range of traveling-wave multiple-quantum-well electroabsorption modulators

    Bin Liu, / Jongin Shim, / Yi-jen Chiu, et al. | IEEE | 2003


    Performance of Strained InGaAs/InAlAs Multiple-Quantum-Well Electroabsorption Modulators

    Ido, T. / Sano, H. / Tanaka, S. et al. | British Library Online Contents | 1996