In this paper, InGaAs-GaAs MQW DBR lasers with monolithically integrated external cavity electroabsorption modulators fabricated using selective-area metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD), and also fabricated using uniform material will be discussed.


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    Titel :

    Monolithic integration of InGaAs-GaAs MQW DBR lasers with external cavity electroabsorption modulators


    Beteiligte:
    Lammert, R.M. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1997


    Format / Umfang :

    182381 byte





    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch