Increased turnover voltage suggests metal-insulator-semiconductor structure.


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    Titel :

    MIS diode structure in As+-implanted CdS


    Beteiligte:
    Hutchby, J. A. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.09.1977



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch




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