Low-Series-resistance ohmic contact to p-type InP semiconductor material is achieved in technique utilizing Au-Ge-Zn eutectic alloy. Alloy sets and adheres well to semiconductor surface with higher acceptor concentration at metal semiconductor interface. Technique has provided satisfactory for pn junction LED's and lasers.


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    Titel :

    Ohmic contact to p-type indium phosphide


    Beteiligte:
    Hawrylo, F. Z. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.06.1980



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch


    Schlagwörter :


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