Report describes measurements of common-emitter current gains (hFE) of advanced bipolar silicon transistors before, during, and after irradiation with 275-MeV bromine ions, 2.5-MeV electrons, and conductivity rays from cobalt-60 atoms.


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    Titel :

    Radiation Damage In Advanced Bipolar Transistors


    Beteiligte:

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.09.1989



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch




    Thermal Behavior of Bipolar Transistors

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    Reliability of microwave bipolar silicon transistors

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    ST Rad-Hard Power Bipolar Transistors Product Portofolio

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