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    Titel :

    Influence of Sb/N contents during the capping process on the morphology of InAs/GaAs quantum dots



    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    2016




    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch



    Klassifikation :

    BKL:    50.70 Energie: Allgemeines / 52.56 Regenerative Energieformen, alternative Energieformen / 52.52 Thermische Energieerzeugung, Wärmetechnik / 53.36 Energiedirektumwandler, elektrische Energiespeicher



    Enhanced Terahertz Emission from InAs Quantum Dots on GaAs

    Park, H. / Kim, J. / Moon, K. et al. | IEEE | 2006



    MOCVD growth of InAs/GaAs quantum dots and laser diodes

    Stewart, K. / Tan, H.H. / Wong-Leong, J. et al. | IEEE | 2004


    MOCVD Growth of InAs/GaAs Quantum Dots and Diode Lasers

    Lasers and Electro-optics Society (Institute of Electrical and Electronics Engineers) | British Library Conference Proceedings | 2004


    Formation of InGaAs/GaAs quantum-well dots by using self-assembled InAs quantum dots as stressors

    Xiaodong Mu, / Yujie J. Ding, / Zhiming Wang, et al. | IEEE | 2003