Die Resistenz optronischer Komponenten gegen hochintensive Laserstrahlung ist in der Wehrtechnik und auch im zivilen Bereich von zunehmender Bedeutung. Untersuchungen zur Strahlungsschädigung optronischer Komponenten erfolgen am Institut für Technische Physik im Hinblick auf die spätere Verwendung der entsprechenden Komponenten und unter Berücksichtigung internationaler Standards der Zerstörschwellenmessung. Neben der Bestimmung von Schädigungsschwellen werden auch Schädigungsmorphologie und die zugehörigen Prozesse analysiert. Insbesondere der Einsatz eines Ultrakurzpulslasers ermöglichte die experimentelle Untersuchung des zeitlichen Skalierungsverhaltens der Schädigungsschwellen von kristallinem Ge und Si im Small-Spot Verfahren (1 / 1; s / 1). Als Laserquelle wurde ein kommerzieller Ti:Saphir-Laser eingesetzt, dessen Pulsdauer im Bereich von 150 fs - 5.5 ps variiert werden konnte. Bei beiden Materialien konnte ein asymptotisches Verhalten bei Verkürzung der Pulse festgestellt werden, das hervorragend mit theoretischen Vorhersagen korrespondiert.


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    Titel :

    Schädigung von Optronik mit kurzen und ultrakurzen Laserpulsen


    Weitere Titelangaben:

    Damage of optoelectronics by short and ultra-short laser pulses


    Beteiligte:
    Eckel, H.A. (Autor:in) / Riede, W. (Autor:in) / Allenspacher, P. (Autor:in) / Hüttner, B. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2003


    Format / Umfang :

    11 Seiten, 9 Bilder, 3 Tabellen, 13 Quellen


    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Deutsch