In der letzten Dekade ist eine neue Generation von Geräten und Anlagen der Leistungselektronik entscheidend von neu entwickelten abschaltbaren Leistungshalbleitern geprägt worden. Neben die seit Jahrzehnten eingeführten Thyristoren und Halbleiterdioden sind abschaltbare Halbleiter-Bauelemente getreten. Dies sind bipolare Leistungstransistoren, Feldeffekttransistoren (MOSFETs), Abschaltthyristoren (GTOs) und Insulated Gate Bipolar Transistoren (IGBT's). Weitere abschaltbare Bauelemente sind Static Induction Transistoren (SITs) und -thyristoren (SIThs) sowie MOS Controlled Thyristoren (MCTs). Sie befinden sich noch im Entwicklungsstadium und sind vorzugsweise für hohe Schaltfrequenzen einsetzbar.


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    Titel :

    Leistungskomponenten bei elektrischen Antrieben im unteren und mittleren Leistungsbereich


    Weitere Titelangaben:

    Power components for electric drives for the low and medium power ranges


    Beteiligte:
    Heumann, K. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1992


    Format / Umfang :

    25 Seiten, 36 Bilder, 11 Tabellen, 22 Quellen



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Deutsch






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