Die Versetzungsstrukturen und ebenen Gitterfehler in zwischen 900 und 1500C verformten MoSi2 Einkristallen wurden im Transmissionselektronenmikroskop untersucht. Reine Stapelfehler wurden in den bei 900C verformten Kristallen gefunden. Die Bildung der Stapelfehler haengt eng mit der Phasenstabilitaet der Ordnungsstrukturen C11b und C40 zusammen. Das vermehrte Auftreten von Stapelfehlern bei steigender Verformungstemperatur begleitet die Zunahme der Duktilitaet des MoSi2 oberhalb 1200C. Die kritische Scherspannung fuer die (110)(3-31) und (013)(3-31) Gleitung wurde zwischen 1000 und 1500C bestimmt. Sie ist fuer die (013) Ebenen zwei- bis fuenfmal hoeher als fuer die (110) Ebenen.


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    Titel :

    Planar faults in MoSi2 single crystals deformed at high temperatures


    Weitere Titelangaben:

    Ebene Gitterfehler in bei hohen Temperaturen verformten MoSi2 Einkristallen


    Beteiligte:
    Umakoshi, Y. (Autor:in) / Sakagami, T. (Autor:in) / Yamane, T. (Autor:in) / Hirano, T. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1989


    Format / Umfang :

    6 Seiten, 3 Bilder




    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch