Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Observation of Degradation Recovery in 1.3-m GaInAsP-InP Inverted-Rib Semiconductor Lasers


    Beteiligte:
    Yoon, S. F. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.1994


    Format / Umfang :

    55 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Unbekannt


    Klassifikation :

    DDC:    621.3692



    Mass-Transported GaInAsP/InP Lasers

    Z. L. Liau / J. N. Walpole | NTIS | 1989


    1.3 m GaInAsP Lasers with Bragg Reflector Consisted of Semiconductor and Air

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997



    Temperature Sensitivity of Oscillation Wavelength in 1.3m- GaInAsP/InP Quantum-Well Semiconductor Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996


    High-Power GaInAs/GaInAsP/GalnP 980-nm Pump Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993