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    Titel :

    Temperature Dependence of InSb Reflectivity in the Far Infrared: Determination of the Electron Effective Mass


    Beteiligte:
    Carelli, G. (Autor:in) / Ioli, N. (Autor:in) / Messina, A. (Autor:in) / Moretti, A. (Autor:in) / Schepis, S. (Autor:in) / Strumia, F. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1998


    Format / Umfang :

    10 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    621.3612



    The temperature dependence of electrical properties in N-doped InSb

    Wang, Y. / Zhang, D. H. / Liu, W. | IEEE | 2008


    Magnetron sputter epitaxy of n^+-InSb on p-InSb for infrared photodiode applications

    Gawron, W. / Adamiec, K. / Larkowski, W. et al. | British Library Conference Proceedings | 1999


    SNR dependence on leaky coating reflectivity

    Prikryl, I. Q. / SPIE | British Library Conference Proceedings | 1994


    Magnetic field dependence of THz radiation from InSb surface

    Gu, P. / Tani, M. / Sakai, K. | IEEE | 1999


    Infrared free-electron laser measurement of power limiting by two-photon absorption in InSb

    Murdin, B. N. / Merveille, C. / Kar, A. K. et al. | British Library Online Contents | 1993